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ドライエッチング委託加工

ドライエッチング形状加工デモ内容

■SiO2/SiC選択比エッチング
 ・SiO2選択比 10
 ・アスペクト比 2〜3
 ・サブトレンチ低減
 ・底面ダメージ低減

SEM観察画像

■高速エッチレート

高密度プラズマによるSiC,Sapphireの高速レートエッチングが可能。
※下表データは基板エッチングのレートです。

SiC Etch Rate 3〜8um/min
Quarts Etch Rate 0.5〜2um/min
Sapphire Etch Rate 1〜3um/mi

■装置特徴

・上部印加 ICPプラズマソース
・下部印加 CCPプラズマソース
・基板対応サイズ 4インチまで可
・基板吸着方式(静電チャック)
・基板温度コントロール可
・腐食ガス対応可

【お問い合わせは】
◆技術営業本部 担当:田岡(taoka@fusetechno.com)
〒664-0845 兵庫県伊丹市東有岡3-30
TEL:072-787-7565 FAX:072-787-7566